(Teleborsa) – , colosso italo-francese del campo dei semiconduttori, ha annunciato un nuovo impianto per la produzione in grandi volumi di carburo di silicio (SiC) da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza, nonché per attività di test e packaging, che sarà costruito a Catania. Insieme all’impianto di produzione di substrati in SiC in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando la visione dell’azienda di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito.
“Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni – ha detto il CEO Jean-Marc Chery – Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione”.
Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana. Si prevede un investimento totale intorno ai cinque miliardi di euro, con un sostegno finanziario di circa due miliardi di euro da parte dello Stato italiano nel quadro del Chips Act dell’Unione Europea.
Approvando il sostegno, ai sensi delle norme UE sugli aiuti di Stato, la Commissione europea ha sottolineato che la misura rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con gli obiettivi fissati nel Chips Act.
“La misura italiana da 2 miliardi di euro approvata oggi sostiene un impianto integrato unico per i chip di carburo di silicio – ha commentato Margrethe Vestager, vicepresidente esecutiva responsabile della politica di concorrenza – Rafforzerà la catena di approvvigionamento europea dei semiconduttori e garantirà l’accesso a una fonte affidabile di chip efficienti dal punto di vista energetico utilizzati, ad esempio, nei veicoli elettrici e nelle stazioni di ricarica. Ciò sosterrà la transizione digitale e verde e contribuirà a creare posti di lavoro altamente qualificati, limitando nel contempo possibili distorsioni della concorrenza”.
La Commissione ha riscontrato che: la misura facilita lo sviluppo di alcune attività economiche; l’impianto è il primo nel suo genere in Europa, poiché attualmente non esiste un impianto di produzione di massa paragonabile; l’aiuto ha un “effetto di incentivazione”, poiché il beneficiario non realizzerebbe l’investimento senza il sostegno pubblico; la misura ha un impatto limitato sulla concorrenza e sugli scambi all’interno dell’UE; la misura ha ampi effetti positivi per l’ecosistema europeo dei semiconduttori e contribuisce a rafforzare la sicurezza dell’approvvigionamento in Europa.
