(Teleborsa) – , colosso italo-francese dei semiconduttori, ha fornito dettagli sul programma per ridisegnare la struttura produttiva e ridimensionare la base dei costi globali. Il programma globale, che include sia il ridimensionamento della base di costi precedentemente annunciato sia il ridisegno della struttura produttiva, prevede l’uscita su base volontaria di fino a 2.800 persone a livello globale nel corso di 3 anni, oltre al turnover naturale. Si prevede che questi cambiamenti avvengano principalmente nel 2026 e 2027. STM ha 50.000 dipendenti in tutto il mondo.
Confermato l’obiettivo di risparmi di costi su base annua a fine 2027 stimata in milioni di dollari nella fascia superiore della forchetta a tre cifre.
Nel corso dei prossimi tre anni, il ridisegno della presenza produttiva di ST servirà a progettare e rafforzare gli ecosistemi complementari di ST: in Francia intorno alle tecnologie digitali, in Italia intorno alle tecnologie analogiche e di potenza, e a Singapore sulle tecnologie mature.
“Il ridisegno della nostra struttura produttiva annunciato oggi garantirà il futuro del nostro modello di Produttore Integrato di Dispositivi con asset strategici in Europa e migliorerà la nostra capacità di innovare ancora più rapidamente, a vantaggio di tutti i nostri stakeholder – ha commentato il CEO Jean-Marc Chery – Concentrandoci su tecnologie mainstream e infrastruttura di produzione avanzata, continueremo a far leva su tutti i nostri siti esistenti e a ridefinire le missioni di alcuni siti per sostenerne il successo sul lungo termine. Ci impegniamo a gestire questo programma in modo responsabile, secondo i nostri valori consolidati da tempo ed esclusivamente attraverso misure volontarie. La ricerca e sviluppo tecnologica, la progettazione e la produzione in grandi volumi in Italia e in Francia continueranno a essere centrali per le nostre attività operative globali e saranno rafforzate attraverso investimenti pianificati in tecnologie mainstream”.
Guardando all’Italia, l’impianto da 300 mm di Agrate Brianza continuerà ad espandersi con l’obiettivo di diventare il punto di riferimento di ST per la produzione in grandi volumi per tecnologie smart power e a segnale misto. Il piano prevede il raddoppio dell’attuale capacità fino a 4.000 wafer a settimana (wafer per week, wpw) entro il 2027, con successive espansioni modulari che potranno portare la capacità fino a 14.000 wpw, in funzione dell’andamento del mercato. Con il crescente focus sulla produzione da 300 mm, l’impianto di Agrate da 200 mm si rifocalizzerà sui MEMS.
Catania continuerà a rappresentare un centro di eccellenza per i dispositivi di potenza e semiconduttori WBG (ampia banda interdetta, come il SiC e il GaN). Lo sviluppo del nuovo campus dedicato al SiC procede secondo i piani, con l’avvio della produzione su wafer da 200 mm previsto per il quarto trimestre del 2025, rafforzando la leadership di ST nelle tecnologie di potenza di nuova generazione. Le risorse che supportano le attuali capacità di Catania sui 150 mm e l’EWS saranno rifocalizzate sulla produzione di semiconduttori di potenza in silicio e SiC da 200 mm da 200 mm, compreso il GaN-su-silicio, rafforzando la leadership di ST nelle tecnologie di potenza di prossima generazione.
